HKEPC指出,采用TLC颗粒的iPhone 6 64G会针对系统内存进行动态快速存取优化。当系统进行拷贝时会使用系统存储进行暂存,以提升TLC写入系统的性能。甚至出现采用TLC颗粒的iPhone 6 64G进行拷贝时,性能表现超越了采用MLC颗粒的iPhone 64G,最高写入速度达到207MB/s。
(本文来源于图老师网站,更多请访问http://m.tulaoshi.com/zhinenshouji/)不过,当拷贝Data Size超過400MB后,系统性能将会出现严重的下降,前面开启的应用会出现延迟或闪退的情况。如果采用TLC颗粒的iPhone 6 64G开启了多个较耗存储空间的APP,磁盘性能下降问题会更加明显。
Apple iPhone 6 64GB TLC NAND Flash 加入了动态缓存技术
Apple iPhone 6 64GB MLC NAND Flash 不使用动态缓存技术
采用MCL颗粒的iPhone 6 64G进行资料拷贝时,系统内存并没有针对磁盘进行快速存取,但表现比较平均。其中采用TOSHIBA MLC颗粒的iPhone 6 64G性能较佳,最高写入速度达到79.2MB/s,采用HYNIX MLC颗粒的iPhone 6 64G表现逊稍一些。另外,在数据拷贝的过程中,很稳定,并不会出现像TLC闪存大起大落的现象,同样不会出现延迟与闪退现象。
Random Fill 拷贝测试:
当拷贝改用Random数据模型后,TLC与MLC的性能差别就明显扩大了,对系统存储难于对付的零碎文件进行时时动态存储时,采用TLC闪存的iPhone 6 64G写入性能大幅下降至3MB/s以下。虽然采用MLC闪存的iPhone 6 64G也表现不是很理想,平均也仅在3.5MB/s以上,但处理4K、8K、32K大数据包时,MLC的表现明显更优于TLC。相反TLC由于采用动态快速存取磁盘优化,对Random Data Copy 测试没有帮助,相反令CPU的占用率大幅度提高,导致iPhone 6出现卡顿现象。
TLC vs MLC 版本的 iPhone 6 64GB 拷贝时磁盘使用情况
图左,为TLC颗粒的iPhone 6 64G版本,当进行拷贝时,Memory Usage会突然提升,当中最明显的为“inactive”部分,突然由93.4MB上升至232.8MB,而且这些资料会被IOS暂存在系统存储中用作硬盘缓存,因为大部分写入的资料都会接着被再次读取,同时亦很大机会使用一次后被抛弃,因此苹果暂时保留在系统存储中,以减少对TLC NAND写入寿命的负担。图右,为MLC颗粒的iPhone 6 64G版本,当进行拷贝时,Memory Usage仅有轻微上升,并不会像TLC版本突然占用大量的系统内存,整个拷贝过程都非常稳定。
对于此项测试,HKEPC网站表示很意外,对苹果竟然率先使用TLC闪存的行为表现不理解,而且一样的价格竟有两种不一的闪存版本,显然是一种不厚道的行为。
最后HKEPC表示:
HKEPC 实验室为买到 MLC 版本 iPhone 6 的读者感到高兴,同时对买到 TLC 版本 iPhone 6 的读者遭遇表示遗憾及难过,推介你们参加 Apple Care 服务吧,否则一年过后问题多多自找烦恼。